賀! 本實驗室研究成果連續四年入選國際頂尖會議論文

本實驗室與日本東北大學寒川教授實驗室合作之高效率量子點太陽能電池模式與模擬被IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2012) 大會接受發表.

此為台日跨國從事頂尖學術合作之實質成果. 論文資訊如下:

論文題目: 50% Efficiency Intermediate Band Solar Cell Design Using Highly Periodical Silicon Nanodisk Array

研究團隊: W. Hu, M. Igarashi, M.-Y. Lee*, Y. Li*, S. Samukawa, Tohoku University, *National Chiao Tung University

大會議程: http://www.his.com/~iedm/program/2012_techprogram.pdf

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李義明教授接受 IEEE IEDM 國際電子元件會議主辦單位邀請，於8月6日~7日至美國波士頓，與IEDM議程主席 IEEE FELLOW Martin D. Giles博士、Intel、IBM、以及世界各國同領域之專家與教授等國際議程委員共同參加IEDM委員會議。

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賀！本實驗室主持人李義明教授接受日本 The 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai May 9-11, 2012（IMFEDK）（http://www.ieee-jp.org/section/kansai/chapter/eds/imfedk/）之邀請，赴日本大阪發表：

「Toward Full Fluctuation Analysis of Small FETs」

之Keynote Speeches。

賀！本實驗室Silicon研究群之論文：

「A Unified 3D Device Simulation of Random Dopant, Interface Trap and Work Function Fluctuations on High-k/Metal Gate Devices」

被國際頂尖電子元件會議(IEDM)接受。(本研究部份工作受2010-2011國科會專題研究計畫與2011-2012台積電產學研究計畫補助。)

賀! 李義明教授實驗室碩士班蘇信文同學5月20日赴高雄海洋科技大學參加2011微電子技術發展與應用研討會：發表論文

『Modeling of Work-Function Fluctuation for 16 nm FinFET Devices with TiN/HfSiON Gate Stack』，

參與專業學術活動，豐富研究知識。(本研究部份工作受國科會專題研究計畫與台積電產學研究計畫補助。)

賀! 李義明教授實驗室碩士班 沈承翰、羅翊修同學5月4日赴台南遠東科技大學參加2011 第五屆智慧型系統工程應用研討會：發表論文

『電路模擬與演化式計算技術在非晶矽薄膜電晶體閘極驅動電路動態特性最佳化應用之研究』，

參與專業學術活動，豐富研究知識。(本研究部份工作受新奇美產學研究計畫補助。)

賀! 李義明教授接受大會議程主席：日本Fuzzy Logic Systems Institute研究員暨韓國Hanyang University 講座教授 Mitsuo Gen 至韓國蔚山科技大學（UNIST）參加2011演化式演算法在奈米材料科學與工程研討會（International Workshop on Evolutionary Algorithms for Material/Nanomaterial Science (EAMS 2011), April 06-07, 2011），於4月6日發表Plenary Talk:

「Simulation-Based Evolutionary Techniques for Electronics Design Optimization」，

並於4月7日參觀韓國NCNT。

賀！實驗室論文四篇：

「Local Field Enhancement Dependence on Nanoparticle’s Geometry in Au/TiO2/Ti/Si SERS-Active Substrate for Biochemical Sensors」、

「Finite Element Simulation of Morphological Effect on Reflectance of Si3N4 Sub-Wavelength Structures for Silicon Solar Cells」、

「Interface Traps and Random Dopant Induced Characteristic Fluctuations in Emerging MOSFETs 」以及

「Large-Scale Statistical Simulation of Characteristic Variation in 16-nm-Gate Bulk FinFET Devices Due to Work Function Fluctuation 」

被國際奈米電子會議接受為口頭報告（2011 IEEE International NanoElectronics Conference (2011 INEC), Date: 21-24 June 2011, Venue: Chang Gung University, Tao-Yuan, Taiwan）。

賀！實驗室論文：

「Electrical Characteristic Fluctuation of 16 nm MOSFETs Induced by Random Dopants and Interface Traps 」

被國際積體電路設計與技術會議接受為口頭報告（IEEE International Conference on IC Design and Technology, May 2-4, 2011, Kaohsiung, Taiwan ）。

賀！實驗室論文四篇：

「Effects of Random Work Function Fluctuations in Nanoszied Metal Grains on Electrical Characteristic of 16 nm High-k/Metal Gate Bulk FinFETs」、

「Modeling Bias Stress Effect on Threshold Voltage for Amorphous Silicon Thin-Film Transistors」、

「Comprehensive Study on Reflectance of Si3N4 Subwavelength Structures for Silicon Solar Cell Applications Using 3D Finite Element Analysis」、以及

「Simulation-Based Evolutionary Approach to Electrical Characteristic Optimization of Silicon Solar Cells」

被國際奈米科技會議接受為口頭報告（TechConnect World Conference and Expo 2011, to be held June 13-16, 2011, in Boston, Massachusetts, U.S.A. The TechConnect World is the host of the Nanotech, BioNanotech, Microtech, Clean Technology and TechConnect conferences.）。

賀！實驗室論文兩篇：

「Nanosized Metal Grains Induced Electrical Characteristic Fluctuation in 16-nm-Gate High-k/ Metal Gate Bulk FinFET Devices」、

「Interface Traps and Random Dopants Induced Characteristic Fluctuations in Emerging MOSFETs」

被國際半導體絕緣薄膜會議接受為口頭報告（17th Conference on Insulating Films on Semiconductors 21-24 June 2011 Grenoble - France）。

賀! 實驗室鄭惠文、余俊諺同學赴高雄中山大學參加下世代電子國際研討會，「International Symposium on Next-Generation Electronics(ISNE-2010), November 3-4, 2010, National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung,Taiwan, http://www.isne2010.org」發表論文。(Photo)

賀！本實驗室Silicon研究群之論文：

「3D Device Simulation of Work-Function and Interface Trap Fluctuationson High-k/Metal Gate Devices 」

被國際頂尖電子元件會議(IEDM)接受。